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首页 全部分类 STD70NS04ZL vs FDD8882

STD70NS04ZL备选型号: FDD8882

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STD70NS04ZL
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SAFeFET™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    10.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    STD70N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 1mA
    1800pF @ 25V
    32nC @ 5V
    70ns
    ±20V
    95 ns
    70A
    20V
    33V
    280A
    650 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8882
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12.6A Ta 55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    N-Channel
    SWITCHING
    11.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1260pF @ 15V
    33nC @ 10V
    82ns
    ±20V
    25 ns
    55A
    20V
    30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    260.37mg
    2004
    yes
    30V
    55A
    DRAIN
    8 ns
    TO-252AA
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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