STD7NS20T4备选型号: SPD08N50C3ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 已出版
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- MOSFET N-CH 200V 7A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON7A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MESH OVERLAY™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99400mOhmMatte Tin (Sn) - annealed200V鸥翼2607A30STD73R-PSSO-G2Single增强型MOSFET45WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING400m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 250μA540pF @ 25V45nC @ 10V15ns±20V12 ns7A3VTO-252AA20V7A200V28A60 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-7.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™-不用于新设计1 (Unlimited)----560V--7.6A----Single-83W-6 nsN-Channel-600mOhm @ 4.6A, 10V3.9V @ 350μA750pF @ 25V32nC @ 10V5ns±20V7 ns7.6A3V-20V-500V--2.41mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅8 WeeksTinPG-TO252-3-12005SMD/SMT150°C-55°C500V560V750pF600mOhm600 mΩ3 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
![]() | SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK | 对比 |
![]() | STD4NS25T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp | 对比 |





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