Infineon Technologies SPD07N20GBTMA1

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31.5nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅