STD9HN65M2备选型号: IPD60R750E6ATMA1
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源电阻
- MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAKNRND (Last Updated: 8 months ago)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装DPAK60W TcMDmesh™ M2Cut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)STD9HN-Channel820mOhm @ 2.5A, 10V4V @ 250μA325pF @ 100V11.5nC @ 10V650V±25V5.5A325pF820 mΩROHS3 Compliant-------------
- Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装PG-TO252-35.7A TcCoolMOS™ E6Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)-N-Channel750mOhm @ 2A, 10V3.5V @ 170μA373pF @ 100V17.2nC @ 10V600V±20V5.7A373pF750 mΩ符合RoHS标准12 Weeks33.949996g2011150°C-55°C19 ns7ns12 ns20V600V680mOhm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 |




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