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首页 全部分类 STD9HN65M2 vs IPD65R660CFDBTMA1

STD9HN65M2备选型号: IPD65R660CFDBTMA1

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD9HN65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    DPAK
    60W Tc
    MDmesh™ M2
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    STD9H
    N-Channel
    820mOhm @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    325pF @ 100V
    11.5nC @ 10V
    650V
    ±25V
    5.5A
    325pF
    820 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R660CFDBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 6A TO252
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    6A Tc
    CoolMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    -
    ±20V
    6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    SILICON
    2011
    no
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    8ns
    10 ns
    20V
    650V
    6A
    0.66Ohm
    无铅
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