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首页 全部分类 STD9N65M2 vs IPD65R660CFDBTMA1

STD9N65M2备选型号: IPD65R660CFDBTMA1

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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD9N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD9N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD9N
    1
    7.5 ns
    N-Channel
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    315pF @ 100V
    10nC @ 10V
    6.6ns
    ±25V
    18 ns
    5A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R660CFDBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 6A TO252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    9 ns
    N-Channel
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    10 ns
    6A
    -
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2011
    no
    2
    SINGLE
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    650V
    6A
    0.66Ohm
    无铅
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