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首页 全部分类 STE70NM60 vs STE40NC60

STE70NM60备选型号: STE40NC60

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 元素配置
  • 反向恢复时间
  • 隔离电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STE70NM60
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    70A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    55MOhm
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    not_compliant
    70A
    未说明
    STE70
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    600W
    ISOLATED
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    7300pF @ 25V
    266nC @ 10V
    95ns
    ±30V
    76 ns
    70A
    4V
    30V
    600V
    280A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STE40NC60
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    40A Tc
    150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    130mOhm
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    40A
    -
    STE40
    4
    -
    -
    增强型MOSFET
    460W
    ISOLATED
    49 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    11100pF @ 25V
    430nC @ 10V
    42ns
    ±30V
    26 ns
    40A
    -
    30V
    600V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    685 ns
    2.5kV
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无
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