STMicroelectronics STE70NM60

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

55MOhm

电压 - 额定直流

600V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

70A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STE70

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

600W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

55 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

266nC @ 10V

上升时间

95ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

76 ns

连续放电电流(ID)

70A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅