STFI11N65M2备选型号: SPI08N50C3XKSA1

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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间(典型值)
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STFI11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    3
    2.240009g
    7A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    600mOhm
    未说明
    未说明
    STFI11N
    1
    9.5 ns
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    7.5ns
    ±25V
    15 ns
    7A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    7.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6 ns
    N-Channel
    600mOhm @ 4.6A, 10V
    3.9V @ 350μA
    750pF @ 25V
    32nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    7 ns
    7.6A
    3V
    20V
    560V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    8 Weeks
    PG-TO262-3-1
    2005
    150°C
    -55°C
    560V
    7.6A
    Single
    83W
    无卤素
    560V
    500V
    750pF
    600mOhm
    600 mΩ
    9.25mm
    10mm
    4.4mm
    无铅
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