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STFI13N80K5备选型号: STFI13NK60Z
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- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
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- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak1.437803g12A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ K5Obsolete1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STFI13N1Single16 nsN-Channel450m Ω @ 6A, 10V5V @ 100μA870pF @ 100V29nC @ 10V16ns800V±30V16 ns12A30VROHS3 Compliant无铅---------------- MOSFET N-Ch 600V 0.48 Ohm 13A SuperMESH通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak-13A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™Obsolete不适用EAR99--STFI13N--22 nsN-Channel550m Ω @ 4.5A, 10V4.5V @ 100μA2030pF @ 25V92nC @ 10V14ns-±30V21 ns13A30VROHS3 Compliant-3SILICON3SINGLE3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET35WISOLATEDSWITCHING0.55Ohm600V52A400 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQI4N80TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK | 对比 |
| STFI13NK60Z | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-Ch 600V 0.48 Ohm 13A SuperMESH | 对比 |
| FQI7N80TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK | 对比 |
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