STMicroelectronics STFI13NK60Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

61 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STFI13N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2030pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

92nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.55Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant