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STFI7LN80K5备选型号: IPI90R1K2C3XKSA1
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- 包装
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
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- 表面安装
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- 已出版
- JESD-609代码
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- 终止次数
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- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak5A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™Obsolete不适用EAR99未说明未说明STFI7N-Channel1.15 Ω @ 2.5A, 10V5V @ 100μA270pF @ 100V12nC @ 10V800V±30V5AROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA5.1A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel1.2 Ω @ 2.8A, 10V3.5V @ 310μA710pF @ 100V28nC @ 10V900V±20V-ROHS3 Compliant6 WeeksNOSILICON2008e3yes3Tin (Sn)SINGLE3R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5.1A10A900V68 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | 对比 |
 | STI6N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | 对比 |
 | STFI7N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | STMicroelectronics STFI7N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin I2PAKFP | 对比 |
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