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STFI7LN80K5备选型号: STI6N62K3
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
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- 工厂交货时间
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
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- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak5A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™Obsolete不适用EAR99未说明未说明STFI7N-Channel1.15 Ω @ 2.5A, 10V5V @ 100μA270pF @ 100V12nC @ 10V800V±30V5AROHS3 Compliant----------------------------
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA5.5A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH3™活跃1 (Unlimited)EAR99--STI6NN-Channel1.2 Ω @ 2.8A, 10V4.5V @ 50μA875pF @ 50V34nC @ 10V620V±30V5.5AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks3SILICONe33Tin (Sn)ULTRA LOW-ON RESISTANCESINGLE3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET22 nsSWITCHING12ns20 ns3.75V30V22A620V140 mJ3.75 V10.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | 对比 |
| STI6N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | 对比 |
 | STFI7N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | STMicroelectronics STFI7N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin I2PAKFP | 对比 |
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