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STGB15H60DF备选型号: STGB10H60DF
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.6V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGB15SingleStandard115W600V30A103 ns600V2V @ 15V, 15A沟渠现场停车81nC60A24.5ns/118ns136μJ (on), 207μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant- Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.5V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGB10SingleStandard115W600V20A107 ns600V1.95V @ 15V, 10A沟渠现场停车57nC40A19.5ns/103ns83μJ (on), 140μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRG4BC30U-S | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK | 对比 |
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
 | STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
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