STMicroelectronics STGB10H60DF
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STGB10H60DF
2381-STGB10H60DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/R
--最小包装量--
STGB10H60DF详情
STMicroelectronics STGB10H60DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
2.000002g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Test Conditions
400V, 10A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
115W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGB10
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
115W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
20A
反向恢复时间
107 ns
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 10A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
57nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
19.5ns/103ns
开关能量
83μJ (on), 140μJ (off)
高度
4.6mm
长度
10.4mm
宽度
9.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGB10H60DF拓展信息
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