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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.734667
10
¥28.051573
100
¥26.463748
500
¥24.965801
1000
¥23.552641
Infineon Technologies AUIRG4BC30U-S
- 收藏
- 对比
AUIRG4BC30U-S
1211-AUIRG4BC30U-S
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRG4BC30U-S详情
Infineon Technologies AUIRG4BC30U-S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 12A, 23 Ω, 15V
包装
Tube
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
100W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
100W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
23A
接通时间
33 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
320 ns
闸门收费
50nC
集极脉冲电流(Icm)
92A
Td(开/关)@25°C
17ns/78ns
开关能量
360μJ
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
150ns
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRG4BC30U-S拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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