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STGB19NC60HDT4备选型号: FGB5N60UNDF
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- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
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- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
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- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
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- IGBT类型
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IGBT 600V 40A 130W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)130W鸥翼24530STGB194R-PSSO-G2SingleStandard25 ns130W电源控制N-CHANNEL600V40A31 ns600V32 ns2.5V @ 15V, 12A272 ns53nC60A25ns/97ns85μJ (on), 189μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅-----------
IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBTACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTube-e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)73.5W鸥翼----R-PSSO-G2SingleStandard-73.5WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V10A35 ns-7.5 ns2.4V @ 15V, 5A151.6 ns12.1nC15A5.4ns/25.4ns80μJ (on), 70μJ (off)20V8.5V无ROHS3 Compliant无铅1.31247g2.4V2013yes8541.29.00.95COLLECTORNPT202ns4.83mm10.67mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB5N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT | 对比 |
| FGB20N60SF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 对比 |
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