STGB20N40LZ备选型号: STGB10H60DF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 开关能量
- Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3390V1.5V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™活跃1 (Unlimited)EAR99150WSTGB20Single150WLogic700 ns425V25A390V1.6V @ 4V, 6A24nC40A700ns/4.3μs4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅-------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V1.5V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)-活跃1 (Unlimited)EAR99115WSTGB10Single-Standard-600V20A600V1.95V @ 15V, 10A57nC40A19.5ns/103ns4.6mm10.4mm9.35mm-ROHS3 Compliant-2.000002g未说明未说明115W107 ns沟渠现场停车83μJ (on), 140μJ (off)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | STGB10H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
| NGB8207NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |




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