STMicroelectronics STGB10NB40LZT4
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STGB10NB40LZT4
2381-STGB10NB40LZT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
--最小包装量--
STGB10NB40LZT4详情
STMicroelectronics STGB10NB40LZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
2.240009g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
440V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2V
Number of Elements
1
Test Conditions
328V, 10A, 1k Ω, 5V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
18V
最大功率耗散
150W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
额定电流
20A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGB10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
150W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
汽车点火装置
上升时间
270ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.8V
最大集电极电流
20A
最大击穿电压
440V
接通时间
1570 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 4.5V, 10A
连续集电极电流
20A
关断时间-标准值(toff)
12000 ns
闸门收费
28nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
1.3μs/8μs
开关能量
2.4mJ (on), 5mJ (off)
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2V
高度
4.6mm
长度
10.4mm
宽度
9.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGB10NB40LZT4拓展信息
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