STGB30H60DF备选型号: IGB30N60H3ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V-40°C~175°C TJCut Tape (CT)Obsolete1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGB30SingleStandard260WN-CHANNEL2.4V60A110 ns600V2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20VROHS3 Compliant---------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-60A-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明GB30N60-Standard187WN-CHANNEL----2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车165nC120A18ns/207ns1.17mJ-ROHS3 Compliant16 WeeksYESSILICONTrenchStop®2005e3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTOR电源控制600V40 ns262 ns
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |




哦! 它是空的。