STGB30H60DFB备选型号: SGW23N60UFDTM
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 基本部件号
- JESD-30代码
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- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
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- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 无铅
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99260WSINGLE鸥翼未说明未说明STGB30R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTORStandard260W电源控制N-CHANNEL2V60A53 ns600V51.1 ns2V @ 15V, 30A223 ns沟渠现场停车149nC120A37ns/146ns383μJ (on), 293μJ (off)ROHS3 Compliant-----------
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)--100W----SG*23N60---Standard100W--600V23A42 ns--2.6V @ 15V, 12A--49nC92A17ns/60ns115μJ (on), 135μJ (off)符合RoHS标准3D2PAK2.1V150°C-55°C600V12ASingle100W600V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |






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