STGB30H60DLFB备选型号: AUIRGS30B60K
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HBACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGB30Standard260WN-CHANNEL2V60A600V2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A-/146ns393μJ (off)20V7VROHS3 Compliant----------------------
- IGBT 600V 78A 370W D2PAK-9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR99370W26030-Standard-N-CHANNEL2.35V78A-2.35V @ 15V, 30ANPT102nC120A46ns/185ns350μJ (on), 825μJ (off)20V5.5VROHS3 Compliant3SILICON2.35V2010e32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼R-PSSO-G2Single370WCOLLECTORMOTOR CONTROL74 ns237 ns42ns4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | FGB30N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |






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