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STGB30H60DLFB备选型号: STGB30V60DF
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- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 质量
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- 终止次数
- 终端形式
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- 元素配置
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- 晶体管应用
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HBACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGB30Standard260WN-CHANNEL2V60A600V2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A-/146ns393μJ (off)20V7VROHS3 Compliant------------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99258W未说明未说明STGB30Standard258WN-CHANNEL600V60A600V2.3V @ 15V, 30A沟渠现场停车163nC120A45ns/189ns383μJ (on), 233μJ (off)20V-ROHS3 Compliant2.240009gSILICON1.85V2鸥翼R-PSSO-G2SingleCOLLECTOR电源控制53 ns59 ns225 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | FGB30N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | 对比 |
 | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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