STGB30H60DLFB备选型号: FGB30N6S2
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- 包装
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- ECCN 代码
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 无铅
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HBACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGB30Standard260WN-CHANNEL2V60A600V2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A-/146ns393μJ (off)20V7VROHS3 Compliant------------
- IGBT 600V 45A 167W TO263AB--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)-167W--FGB30N6Standard167W-600V45A-2.5V @ 15V, 12A-23nC108A6ns/40ns55μJ (on), 100μJ (off)--符合RoHS标准3TO-263AB2V150°C-55°C600V45ASingle167W10ns600V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | FGB30N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |






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