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STGB30M65DF2备选型号: STGB30V60DF
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
IGBT 650V 30A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3650V1.55V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99258W未说明未说明STGB30SingleStandard258W2V60A140 ns650V2V @ 15V, 30A沟渠现场停车80nC120A31.6ns/115ns300μJ (on), 960μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-----------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R-20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-600V1.85V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99258W未说明未说明STGB30SingleStandard258W600V60A53 ns600V2.3V @ 15V, 30A沟渠现场停车163nC120A45ns/189ns383μJ (on), 233μJ (off)-ROHS3 Compliant2.240009gSILICON2鸥翼R-PSSO-G2COLLECTOR电源控制N-CHANNEL59 ns225 ns20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | 对比 |
| IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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