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STGB30V60DF备选型号: IGB30N60H3ATMA1

STGB30V60DF

STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

20 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
2.240009g
SILICON
600V
1.85V
-55°C~175°C TJ
Cut Tape (CT)
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
258W
鸥翼
未说明
未说明
STGB30
R-PSSO-G2
Single
COLLECTOR
Standard
258W
电源控制
N-CHANNEL
600V
60A
53 ns
600V
59 ns
2.3V @ 15V, 30A
225 ns
沟渠现场停车
163nC
120A
45ns/189ns
383μJ (on), 233μJ (off)
20V
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IGB30N60H3ATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263

16 Weeks
-
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
SILICON
60A
-
-40°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
-
鸥翼
未说明
未说明
GB30N60
R-PSSO-G2
-
COLLECTOR
Standard
187W
电源控制
N-CHANNEL
-
-
-
-
40 ns
2.4V @ 15V, 30A
262 ns
沟渠现场停车
165nC
120A
18ns/207ns
1.17mJ
-
ROHS3 Compliant
YES
TrenchStop®
2005
e3
no
Tin (Sn)
SINGLE
not_compliant
4
不合格
SINGLE
600V
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