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STGB30V60DF备选型号: STGB30H60DLFB
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- RoHS状态
- 生命周期状态
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2.240009gSILICON600V1.85V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)2EAR99258W鸥翼未说明未说明STGB30R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard258W电源控制N-CHANNEL600V60A53 ns600V59 ns2.3V @ 15V, 30A225 ns沟渠现场停车163nC120A45ns/189ns383μJ (on), 233μJ (off)20VROHS3 Compliant--
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--600V--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-EAR99260W-未说明未说明STGB30---Standard260W-N-CHANNEL2V60A-600V-2V @ 15V, 30A-沟渠现场停车149nC120A-/146ns393μJ (off)20VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)7V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | 对比 |
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | 对比 |
| IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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