STGBL6NC60DT4备选型号: FGB7N60UNDF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- ECCN 代码
- HTS代码
- 箱体转运
- IGBT类型
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 600V 14A 56W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - annealed56W鸥翼STGBL64R-PSSO-G2SingleStandard6.7 ns56W电源控制N-CHANNEL600V14A50 ns600V10.5 ns2.9V @ 15V, 3A122 ns12nC18A6.7ns/46ns46.5μJ (on), 23.5μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅-------------
- IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTube-e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)83W鸥翼--R-PSSO-G2SingleStandard-83WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V14A32.3 ns-10.3 ns2.3V @ 15V, 7A146.8 ns18nC21A5.9ns/32.3ns99μJ (on), 104μJ (off)20V8.5V无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks1.31247g2.1V2013EAR998541.29.00.95COLLECTORNPT89ns4.83mm10.67mm9.65mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB7N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT | 对比 |
![]() | FGB5N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT | 对比 |
![]() | STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |




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