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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.336993
10
¥6.921693
100
¥6.529899
500
¥6.160282
1000
¥5.811585
STMicroelectronics STGBL6NC60DT4
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- 对比
STGBL6NC60DT4
2381-STGBL6NC60DT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 14A 56W D2PAK
--最小包装量--
¥
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STGBL6NC60DT4详情
STMicroelectronics STGBL6NC60DT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 3A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
56W
终端形式
鸥翼
基本部件号
STGBL6
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
6.7 ns
功率 - 最大
56W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
14A
反向恢复时间
50 ns
最大击穿电压
600V
接通时间
10.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 3A
关断时间-标准值(toff)
122 ns
闸门收费
12nC
集极脉冲电流(Icm)
18A
Td(开/关)@25°C
6.7ns/46ns
开关能量
46.5μJ (on), 23.5μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGBL6NC60DT4拓展信息
STMicroelectronics
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