STGD19N40LZ备选型号: NGTB10N60R2DT4G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 反向恢复时间
- 开关能量
- 达到SVHC
- IGBT 20V 40A DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633390V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)EAR99125W未说明未说明STGD19SingleLogic125W1.5V25A390V1.5V @ 4.5V, 10A17nC40A650ns/13.5μs2.4mm6.6mm6.2mmROHS3 Compliant无铅---------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633600V175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)-72W---SingleStandard72W600V20A600V2.1V @ 15V, 10A53nC40A48ns/120ns2.38mm6.73mm6.22mmROHS3 Compliant无铅1.7V2017e3yesTin (Sn)not_compliant90 ns412μJ (on), 140μJ (off)无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGD20N40LZ | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | 对比 |
![]() | ISL9V3040D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 430V 21A 150W TO252AA | 对比 |
![]() | STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 420V 25A 125W DPAK | 对比 |





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