ON Semiconductor NGTB10N60R2DT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Test Conditions

300V, 10A, 30 Ω, 15V

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

72W

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

72W

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

90 ns

最大击穿电压

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 10A

闸门收费

53nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

48ns/120ns

开关能量

412μJ (on), 140μJ (off)

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅