STGD3NB60SDT4备选型号: IRGR3B60KD2TRLP
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 资历状况
- 上升时间-最大值
- 功率 - 最大
- JEDEC-95代码
- IGBT类型
- 最大下降时间 (tf)
- IGBT 600V 6A 48W DPAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V1.5V175°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed600V48W鸥翼2603A30STGD33R-PSSO-G2Single48WStandard125 μs电源控制150μsN-CHANNEL600V6A1.7μs600V275 ns1.5V @ 15V, 3A4800 ns18nC25A125μs/-1.15mJ (off)20V4.5V无ROHS3 Compliant无铅-------
- IGBT 600V 7.8A 52W DPAK13 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)2-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-52W鸥翼260-30IRGR3B60KD2PBF-R-PSSO-G2Single-Standard-MOTOR CONTROL-N-CHANNEL2.4V7.8A77 ns600V35 ns2.4V @ 15V, 3A211 ns13nC15.6A18ns/110ns62μJ (on), 39μJ (off)20V5.5V-符合RoHS标准-2004不合格22ns52WTO-252AANPT105ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | 对比 |
![]() | SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | 对比 |
![]() | HGTD3N60C3S9A | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | 对比 |




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