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首页 全部分类 STGD3NB60SDT4 vs SGR6N60UFTM

STGD3NB60SDT4备选型号: SGR6N60UFTM

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • STMicroelectronics
    STGD3NB60SDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 6A 48W DPAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    600V
    1.5V
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    600V
    48W
    鸥翼
    260
    3A
    30
    STGD3
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    48W
    Standard
    125 μs
    电源控制
    150μs
    N-CHANNEL
    600V
    6A
    1.7μs
    600V
    275 ns
    1.5V @ 15V, 3A
    4800 ns
    18nC
    25A
    125μs/-
    1.15mJ (off)
    20V
    4.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    SGR6N60UFTM
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 6A 30W DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    600V
    30W
    -
    -
    3A
    -
    SG*6N60
    -
    -
    Single
    30W
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    6A
    -
    -
    -
    2.6V @ 15V, 3A
    -
    15nC
    25A
    15ns/60ns
    57μJ (on), 25μJ (off)
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    260.37mg
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