STGE50NC60WD备选型号: APTGF50DH60T1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- IGBT类型
- STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 PinsChassis Mount, Panel, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON12.5V-55°C~150°C TJPowerMESH™Obsolete不适用4EAR99260WUPPERUNSPECIFIEDSTGE504Single260WISOLATED电源控制17nsN-CHANNELStandard600V100A500μA4.7nF69 ns2.6V @ 15V, 40A343 ns无20V4.7nF @ 25V2.6 V12.2mm38.2mm25.5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
- IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1Chassis Mount, Screw底座安装SP112-600V2.1V--Obsolete1 (Unlimited)9-250WUPPERUNSPECIFIED-12不对称桥-ISOLATED电源控制-N-CHANNELStandard600V65A250μA2.2nF52 ns2.45V @ 15V, 50A151 ns有20V2.2nF @ 25V2.45 V11.5mm51.6mm40.8mm-符合RoHS标准-2012150°C-40°C未说明未说明R-XUFM-X9不合格DualNPT
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 | 对比 |
![]() | APTGT75DA60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1 | 对比 |





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