STGE50NC60WD备选型号: APTGF50DH60T1G

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  • 箱体转运
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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    Obsolete
    不适用
    4
    EAR99
    260W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    STGE50
    4
    Single
    260W
    ISOLATED
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    4.7nF
    69 ns
    2.6V @ 15V, 40A
    343 ns
    20V
    4.7nF @ 25V
    2.6 V
    12.2mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    -
    600V
    2.1V
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9
    -
    250W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    12
    不对称桥
    -
    ISOLATED
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    65A
    250μA
    2.2nF
    52 ns
    2.45V @ 15V, 50A
    151 ns
    20V
    2.2nF @ 25V
    2.45 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    2012
    150°C
    -40°C
    未说明
    未说明
    R-XUFM-X9
    不合格
    Dual
    NPT
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