STGE50NC60WD备选型号: APTGT75DA60T1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率 - 最大
- IGBT类型
- STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 PinsChassis Mount, Panel, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON12.5V-55°C~150°C TJPowerMESH™Obsolete不适用4EAR99260WUPPERUNSPECIFIEDSTGE504Single260WISOLATED电源控制17nsN-CHANNELStandard600V100A500μA4.7nF69 ns2.6V @ 15V, 40A343 ns无20V4.7nF @ 25V2.6 V12.2mm38.2mm25.5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1Chassis Mount, Screw底座安装SP11SILICON600V--40°C~175°C TJ-活跃1 (Unlimited)12EAR99250WUPPERTHROUGH-HOLE-12Single-ISOLATEDMOTOR CONTROL-N-CHANNELStandard1.9V100A250μA4.62nF170 ns1.9V @ 15V, 75A310 ns有-4.62nF @ 25V-----符合RoHS标准-IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)36 Weeks2007e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)未说明未说明不合格250W沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 | 对比 |
![]() | APTGT75DA60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1 | 对比 |





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