STGE50NC60WD备选型号: APTGT75DA60T1G

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  • 箱体转运
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 输入电容
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • 栅极-发射极电压-最大值
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    Obsolete
    不适用
    4
    EAR99
    260W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    STGE50
    4
    Single
    260W
    ISOLATED
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    4.7nF
    69 ns
    2.6V @ 15V, 40A
    343 ns
    20V
    4.7nF @ 25V
    2.6 V
    12.2mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    600V
    -
    -40°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    250W
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    12
    Single
    -
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.9V
    100A
    250μA
    4.62nF
    170 ns
    1.9V @ 15V, 75A
    310 ns
    -
    4.62nF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    2007
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    未说明
    未说明
    不合格
    250W
    沟渠现场停车
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