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首页 全部分类 STGE50NC60WD vs FP30R06W1E3BOMA1

STGE50NC60WD备选型号: FP30R06W1E3BOMA1

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  • 已出版
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  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGE50NC60WD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD IGBT Single Transistor, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    Obsolete
    不适用
    4
    EAR99
    260W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    STGE50
    4
    Single
    260W
    ISOLATED
    电源控制
    17ns
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    4.7nF
    69 ns
    2.6V @ 15V, 40A
    343 ns
    无
    20V
    4.7nF @ 25V
    2.6 V
    12.2mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FP30R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 37A 115W
    Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    600V
    1.55V
    -40°C~150°C
    -
    活跃
    不适用
    23
    EAR99
    115W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    23
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    37A
    1mA
    -
    42 ns
    2V @ 15V, 30A
    245 ns
    有
    -
    1.65nF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    16 Weeks
    2002
    no
    115W
    沟渠现场停车
    无
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