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STGP30H60DFB备选型号: STGPL6NC60D

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  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 最大击穿电压
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGP30H60DFB
    STMicroelectronics
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    20 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    400V, 30A, 10 Ω, 15V
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    260W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STGP30
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    260W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2V
    60A
    53 ns
    TO-220AB
    51.1 ns
    2V @ 15V, 30A
    223 ns
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGPL6NC60D
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 14A 56W TO220
    8 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    600V
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    56W
    -
    -
    -
    STGPL6
    R-PSFM-T3
    -
    -
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    42A
    50ns
    TO-220AB
    10.5 ns
    2.9V @ 15V, 3A
    122 ns
    -
    12nC
    18A
    6.7ns/46ns
    46.5μJ (on), 23.5μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Matte Tin (Sn)
    3
    Single
    600V
    20V
    5.75V
    无
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