STGP30NC60S备选型号: IKP30N65H5XKSA1

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 最大功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
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  • 集极脉冲电流(Icm)
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    175W
    STGP30
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    175W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    55A
    TO-220AB
    30 ns
    1.9V @ 15V, 20A
    555 ns
    96nC
    150A
    21.5ns/180ns
    300μJ (on), 1.28mJ (off)
    20V
    5.75V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    650V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchStop™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    188W
    -
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    188W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    55A
    TO-220AB
    28 ns
    2.1V @ 15V, 30A
    224 ns
    70nC
    90A
    19ns/177ns
    280μJ (on), 100μJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    3
    2013
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    无卤素
    51 ns
    Trench
    无铅
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