STMicroelectronics STGP30NC60S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

175W

基本部件号

STGP30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

175W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

55A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

30 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

555 ns

闸门收费

96nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

21.5ns/180ns

开关能量

300μJ (on), 1.28mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant