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STGP30NC60S备选型号: STGP20H60DF
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 无铅
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube通孔通孔TO-220-3SILICON600V-55°C~150°C TJTubePowerMESH™yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99175WSTGP303R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard175W电源控制N-CHANNEL600V55ATO-220AB30 ns1.9V @ 15V, 20A555 ns96nC150A21.5ns/180ns300μJ (on), 1.28mJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant-------- IGBT 600V 40A 167W TO220通孔通孔TO-220-3-600V-55°C~175°C TJTube--活跃1 (Unlimited)-EAR99167WSTGP20--Single-Standard--N-CHANNEL600V40A--2V @ 15V, 20A-115nC80A42.5ns/177ns209μJ (on), 261μJ (off)20V-无ROHS3 Compliant20 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)2V167W90 ns沟渠现场停车无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGP19NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
| STGP20H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 167W TO220 | 对比 |
 | IKP30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 | 对比 |
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