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首页 全部分类 STGW20H60DF vs FGH20N60SFDTU

STGW20H60DF备选型号: FGH20N60SFDTU

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • HTS代码
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGW20
    Single
    167W
    Standard
    600V
    40A
    90ns
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH20N60SFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 40A 165W TO247
    -
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    165W
    -
    Single
    -
    Standard
    600V
    40A
    34 ns
    2.8V @ 15V, 20A
    场站
    65nC
    60A
    13ns/90ns
    370μJ (on), 160μJ (off)
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    COLLECTOR
    13 ns
    165W
    电源控制
    16ns
    N-CHANNEL
    TO-247AB
    28 ns
    123 ns
    20V
    6.5V
    48ns
    无SVHC
    无铅
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