STGW20H60DF备选型号: STGW20V60DF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 极性/通道类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGW20
    Single
    167W
    Standard
    600V
    40A
    90ns
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 40A 167W TO247
    -
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGW20
    Single
    167W
    Standard
    600V
    40A
    40ns
    2.2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    N-CHANNEL
    20V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 40A 170W TO247-3 对比
HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 40A 165W TO247 对比
STGW20V60DF STGW20V60DF STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 600V 40A 167W TO247 对比