STGW20H60DF备选型号: STGW20V60DF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99167WSTGW20Single167WStandard600V40A90ns2V @ 15V, 20A沟渠现场停车115nC80A42.5ns/177ns209μJ (on), 261μJ (off)20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant--
- IGBT 600V 40A 167W TO247-20 Weeks通孔通孔TO-247-33600V2.3V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99167WSTGW20Single167WStandard600V40A40ns2.2V @ 15V, 20A沟渠现场停车116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 CompliantN-CHANNEL20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 170W TO247-3 | 对比 |
![]() | HGTG20N60B3 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 165W TO247 | 对比 |
![]() | STGW20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 167W TO247 | 对比 |





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