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首页 全部分类 STGW20H60DF vs HGTG20N60B3

STGW20H60DF备选型号: HGTG20N60B3

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGW20
    Single
    167W
    Standard
    600V
    40A
    90ns
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60B3
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 40A 165W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    165W
    HGTG20N60
    Single
    165W
    Standard
    600V
    40A
    -
    2V @ 15V, 20A
    -
    80nC
    160A
    -
    475μJ (on), 1.05mJ (off)
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    SILICON
    2004
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    40A
    NPN
    COLLECTOR
    25 ns
    电源控制
    45 ns
    360 ns
    无SVHC
    无铅
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