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首页 全部分类 STGW20NC60VD vs STGW30V60DF

STGW20NC60VD备选型号: STGW30V60DF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGW20NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超快
    600V
    200W
    30A
    STGW20
    3
    Single
    200W
    Standard
    31 ns
    电源控制
    11.5ns
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    44ns
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    30A
    280 ns
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 258W TO247
    -
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    258W
    -
    STGW30
    -
    Single
    258W
    Standard
    -
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    53 ns
    59 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    -
    225 ns
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    沟渠现场停车
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