STMicroelectronics STGW35HF60WD

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

175 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

200W

基本部件号

STGW35

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

30 ns

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

50 ns

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

295 ns

闸门收费

140nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

30ns/175ns

开关能量

290μJ (on), 185μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

24.45mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅