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首页 全部分类 STGW30NC60WD vs HGTG12N60A4D

STGW30NC60WD备选型号: HGTG12N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
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  • 附加功能
  • HTS代码
  • 连续集电极电流
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60WD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    200W
    60A
    STGW30
    3
    Single
    200W
    ISOLATED
    Standard
    29.5 ns
    电源控制
    12ns
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    40 ns
    TO-247AC
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    189 ns
    102nC
    150A
    29.5ns/118ns
    305μJ (on), 181μJ (off)
    20V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    600V
    167W
    54A
    HGTG12N60
    -
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    17 ns
    电源控制
    16ns
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    30 ns
    -
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    180 ns
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    -
    -
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.39g
    2002
    yes
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    60A
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