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首页 全部分类 STGW30V60DF vs STGW35NB60SD

STGW30V60DF备选型号: STGW35NB60SD

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  • 额定电流
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  • 最大击穿电压
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW30V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 258W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    258W
    STGW30
    Single
    258W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    53 ns
    59 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    225 ns
    沟渠现场停车
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW35NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    200W
    STGW35
    Single
    200W
    Standard
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    44 ns
    153 ns
    1.7V @ 15V, 20A
    3600 ns
    -
    83nC
    250A
    92ns/1.1μs
    840μJ (on), 7.4mJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Tin (Sn)
    600V
    35A
    3
    70ns
    600V
    70A
    TO-247AA
    600V
    20V
    5V
    无SVHC
    无铅
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