STGW35HF60W备选型号: STGW30NC60WD
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 箱体转运
- 上升时间
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube8 Weeks通孔通孔TO-247-36.500007gSILICON600V2.5V-55°C~150°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗200WSTGW353R-PSFM-T3SingleStandard30 ns200W电源控制N-CHANNEL600V60A45 ns2.5V @ 15V, 20A295 ns140nC150A30ns/175ns290μJ (on), 185μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins8 Weeks通孔通孔TO-247-3-SILICON600V2.1V-55°C~150°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-200WSTGW303-SingleStandard29.5 ns-电源控制N-CHANNEL600V60A42.5 ns2.5V @ 15V, 20A189 ns102nC150A29.5ns/118ns305μJ (on), 181μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)3PowerMESH™600V60A200WISOLATED12ns40 nsTO-247AC20.15mm15.75mm5.15mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW20NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | HGTG20N60A4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 290W TO247 | 对比 |




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