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首页 全部分类 STGW35NC120HD vs IXA33IF1200HB

STGW35NC120HD备选型号: IXA33IF1200HB

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
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  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGW35NC120HD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 58A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    Obsolete
    不适用
    3
    EAR99
    235W
    STGW35
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    29 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    58A
    152 ns
    1200V
    41 ns
    2.75V @ 15V, 20A
    928 ns
    110nC
    135A
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    25V
    5.75V
    21.09mm
    16.03mm
    5.16mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA33IF1200HB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    250W
    -
    3
    -
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    58A
    350ns
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 25A
    350 ns
    76nC
    -
    -
    2.5mJ (on), 3mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.45mm
    16.24mm
    5.3mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    1.8V
    2001
    e1
    yes
    锡银铜
    低导通损耗
    未说明
    未说明
    不合格
    250W
    TO-247AD
    PT
    无SVHC
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