STMicroelectronics STGW35NC120HD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

275 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

235W

基本部件号

STGW35

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

29 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

58A

反向恢复时间

152 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

41 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.75V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

928 ns

闸门收费

110nC

集极脉冲电流（Icm）

135A

Td（开/关）@25°C

29ns/275ns

开关能量

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

21.09mm

长度

16.03mm

宽度

5.16mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅